NF E09-011-2008 机械的安全性.避免人身体部分被挤压的最小间隙

作者:标准资料网 时间:2024-05-17 04:29:30   浏览:8296   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:Safetyofmachinery-Minimumgapstoavoidcrushingofpartsofthehumanbody.
【原文标准名称】:机械的安全性.避免人身体部分被挤压的最小间隙
【标准号】:NFE09-011-2008
【标准状态】:现行
【国别】:法国
【发布日期】:2008-08-01
【实施或试行日期】:2008-08-23
【发布单位】:法国标准化协会(FR-AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:事故预防;身体;躯体部位;定义;尺寸;距离;危害;仪器;长度;机器;机械卷边连接;机械工程;最小空隙;职业安全;设备;加工设备;安全;安全距离;安全工程;机械安全;安全准备;挤压位置;工作物质;工作场所安全
【英文主题词】:Accidentprevention;Bodies;Bodyregions;Definition;Definitions;Dimensions;Distances;Hazards;Instruments;Length;Machines;Mechanicalcrimping;Mechanicalengineering;Minimumspacing;Occupationalsafety;Plant;Productionequipment;Safety;Safetydistances;Safetyengineering;Safetyofmachinery;Safetyprovisions;Squeezepositions;Workingsubstances;Workplacesafety
【摘要】:
【中国标准分类号】:J09
【国际标准分类号】:13_110
【页数】:14P;A4
【正文语种】:其他


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基本信息
标准名称:重庆市工业企业能源计量评价规范
发布部门:重庆市质量技术监督局
发布日期:2008-10-10
实施日期:2008-12-01
首发日期:
作废日期:
出版社:中国标准出版社
出版日期:2008-12-01
适用范围

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前言

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所属分类: 综合 经济 文化 供应与使用关系 社会学 服务 公司(企业)的组织和管理 行政 运输 娱乐 旅游
【英文标准名称】:Semiconductordevices-Discretedevices-Part8:Field-effecttransistors
【原文标准名称】:半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
【标准号】:IEC60747-8-2010
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:2010-12
【实施或试行日期】:2010-12
【发布单位】:国际电工委员会(IX-IEC)
【起草单位】:IEC/SC47E
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:组件;定义(术语);分立器件;漏电流;电气工程;电子工程;电子设备及元件;场效应晶体管;大门;检验;极限(数学);测量;测量技术;金属氧化物半导体场效应晶体管;额定值;可靠度;肖特基电路;半导体器件;半导体;符号;晶体管
【英文主题词】:Components;Definitions;Discretedevices;Draincurrent;Electricalengineering;Electronicengineering;Electronicequipmentandcomponents;Field-effecttransistors;Gates;Inspection;Limits(mathematics);Measurement;Measuringtechniques;MOSFET;Ratings;Reliability;Schottkycircuit;Semiconductordevices;Semiconductors;Symbols;Transistors
【摘要】:ThispartofIEC60747givesstandardsforthefollowingcategoriesoffield-effecttransistors:–typeA:junction-gatetype;–typeB:insulated-gatedepletion(normallyon)type;–typeC:insulated-gateenhancement(normallyoff)type.Sinceafield-effecttransistormayhaveoneorseveralgates,theclassificationshownbelowresults:NOTE1Schottkybarrier-gateandinsulatedgatedevicesincludedepletiontypedevicesandenhancementtypedevices.NOTE2MOSFETsforsomeapplicationsmaynothaveinversediodecharacteristicsinthedatasheet.Specialcircuitelementstructurestoeliminatebodydiodeareunderdevelopmentforsuchapplications.MOSFETapplicationssuchasmotorcontrolequipmentneedtospecifytheinversediodecharacteristicsintheMOSFETtousetheinversediodeasafreewheelingdiode.NOTE3ThegraphicalsymbolonlyfortypeCisusedinthisstandard.ThestandardequallyappliesforP-channelandfortypeAandBdevices.
【中国标准分类号】:L44
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:160P.;A4
【正文语种】: